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Revue de Physique Appliquée

Volume 20 / No 1 (janvier 1985)


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Analysis of boundary conditions and transient signal treatment in diffusivity measurements by laser pulse method p. 1

L. Pawlowski, P. Fauchais and C. Martin
DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019850020010100
  • PDF (1.503 MB)
  • References

Interaction onde électromagnétique/flux de porteurs dans une structure mixte ferrite-semiconducteur p. 13

M. Baribaud and D. Rauly
DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:0198500200101300
  • PDF (1.329 MB)
  • References

Intégration d'un processeur cellulaire pour une architecture pyramidale de traitement d'image p. 23

F. Devos, A. Mérigot and B. Zavidovique
DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:0198500200102300
  • PDF (792.6 KB)
  • References

Defects left after regrowth of amorphous silicon on crystalline Si : C (V) and DLTS studies p. 29

J. Castaing and T. Cass
DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:0198500200102900
  • PDF (1.132 MB)
  • References

Electronic properties of Al-SiO2-(n or p) Si MIS tunnel diodes p. 37

J. Vuillod and G. Pananakakis
DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:0198500200103700
  • PDF (1.118 MB)
  • References

High pressure sensor for low temperature use p. 45

D. Fabre and M. M. Thiéry
DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:0198500200104500
  • PDF (463.2 KB)
  • References

Revue de Livres p. 49

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:0198500200104900
  • PDF (75.23 KB)

Revue de Physique Appliquée

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