Rev. Phys. Appl. (Paris) 22, 1803-1808 (1987)
DOI: 10.1051/rphysap:0198700220120180300

Preparation of hydrogenated amorphous silicon tin alloys

M. Vergnat, G. Marchal et M. Piecuch

Laboratoire de Physique du Solide, U.A. au C.N.R.S. n° 155, Université de Nancy-I, B.P. 239, 54506 Vandoeuvre Les Nancy Cedex, France

Abstract
This paper describes a new method to obtain hydrogenated amorphous semiconductor alloys. The method is reactive co-evaporation. Silicon tin hydrogenated alloys are prepared under atomic hydrogen atmosphere. We discuss the influence of various parameters of preparation (hydrogen pressure, tungsten tube temperature, substrate temperature, annealing...) on electrical properties of samples.

Résumé
Ce papier décrit une nouvelle méthode pour obtenir des alliages amorphes semiconducteurs hydrogénés. La méthode que nous utilisons est l'évaporation réactive. Les alliages silicium-étain sont préparés par coévaporation dans une atmosphère d'hydrogène atomique. Nous discutons l'influence des différents paramètres de préparation (pression partielle d'hydrogène, température du tube de tungstène, température du substrat, recuit...) sur les propriétés électriques des échantillons.

PACS
8115G - Vacuum deposition.
0520F - Chemical vapour deposition.
2520F - Amorphous and glassy semiconductors.

Key words
amorphous semiconductors -- hydrogen -- semiconductor growth -- silicon alloys -- tin alloys -- vacuum deposition -- preparation -- Si sub 1 x Sn sub x :H ss -- reactive coevaporation -- H pressure -- hydrogenated amorphous semiconductor alloys -- substrate temperature -- annealing -- electrical properties -- atomic H atmosphere -- Si Sn:H -- W tube temperature