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Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 23, Number 5, mai 1988
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| Page(s) | 863 - 869 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/rphysap:01988002305086300 | |
Rev. Phys. Appl. (Paris) 23, 863-869 (1988)
DOI: 10.1051/rphysap:01988002305086300
1 Groupe de Physique des Solides de l'Ecole Normale Supérieure, Université Paris V, Tour 23, 2 place Jussieu, 75251 Paris Cedex 05, France
2 Laboratoire de Physique des Solides, Institut Supérieur d'Électronique du Nord, 41 boulevard Vauban, 59046 Lille Cedex, France
6170B - Interstitials and vacancies.
6170E - Other point defects.
7155F - Impurity and defect levels in tetrahedrally bonded nonmetals.
Key words
deep levels -- electron traps -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- interstitials -- point defects -- semiconductor -- EL2 defect -- As antisite As interstitial pair -- GaAs
DOI: 10.1051/rphysap:01988002305086300
A critical look at EL2 models
J.C. Bourgoin1 et M. Lannoo21 Groupe de Physique des Solides de l'Ecole Normale Supérieure, Université Paris V, Tour 23, 2 place Jussieu, 75251 Paris Cedex 05, France
2 Laboratoire de Physique des Solides, Institut Supérieur d'Électronique du Nord, 41 boulevard Vauban, 59046 Lille Cedex, France
Abstract
A critical discussion of the experimental observations made on the EL2 defect in GaAs is made which allows us to conclude that the most probable configuration of this defect is the As antisite-As interstitial pair.
Résumé
Nous faisons une discussion critique des observations expérimentales faites sur EL2, ce qui nous amène à conclure que la configuration la plus probable de ce défaut est la paire As antisite-As interstitiel.
6170B - Interstitials and vacancies.
6170E - Other point defects.
7155F - Impurity and defect levels in tetrahedrally bonded nonmetals.
Key words
deep levels -- electron traps -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- interstitials -- point defects -- semiconductor -- EL2 defect -- As antisite As interstitial pair -- GaAs