Rev. Phys. Appl. (Paris) 24, 143-150 (1989)
DOI: 10.1051/rphysap:01989002402014300

Analyse des conditions de croissance de GaxIn(1- x)As/InP par la méthode aux hydrures

A. Porte, F. Lassalle, C. Pariset, M. Cadoret, L. Chaput et R. Cadoret

L.P.M.C., U. A. CNRS N° 0796, Université Blaise Pascal, Clermont , Les Cézeaux, B.P. 45, 63170 Aubière, France

Abstract
GaxIn(1-x)As/InP epitaxy is studied in vapor phase by hydride method. Two sets of experiments have been performed, one at high temperature, the other at lower temperature. A theoretical kinetic approach explains the results. It takes into account the reactions of dechlorination from the surface, the cracking of arsine and the non-equilibrium between As2 and As4 species.

Résumé
L'épitaxie de GaxIn(1-x)As/InP est étudiée en phase vapeur par la méthode aux hydrures. Deux séries d'expériences ont été effectuées respectivement, à haute température et basse température. Les résultats obtenus sont interprétés à partir d'une théorie cinétique qui prend en compte les réactions de déchloruration de la surface, le cracking de l'arsine et le non-équilibre entre les espèces As2 et As 4.

PACS
8115H - Chemical vapour deposition.
6855 - Thin film growth, structure, and epitaxy.
0510D - Epitaxial growth.
2520D - II VI and III V semiconductors.

Key words
gallium arsenide -- III V semiconductors -- indium compounds -- semiconductor epitaxial layers -- semiconductor growth -- vapour phase epitaxial growth -- nonequilibrium -- semiconductor -- vapour phase epitaxy -- growth -- hydride method -- kinetic approach -- reactions -- dechlorination -- surface -- cracking -- Ga sub x In sub 1 x As InP