Rev. Phys. Appl. (Paris) 1, 179-188 (1966)
DOI: 10.1051/rphysap:0196600103017900

Les effets photovoltaiques et photorésistants dans les composés II-VI en couches minces

M. Balkanski¹ et B. Choné<sup>2

1</sup>  Laboratoire de Physique des Solides, Faculté des Sciences, Paris
²  Bureau d'Analyse et de Recherche Appliquées

Abstract
The photoconductivity in cadmium sulphide can be explained through the existence of several recombination-centers of different capture-cross-sections, caused by the presence of a slight excess of cadmium or other impurities. The photovoltaic effect observed in CdS film photocells is interpreted as a consequence of a hetero-junction at the interface of two differents semiconductors. Production and characteristics of the devices are described.

Résumé
Dans le sulfure de cadmium la photoconductivité s'explique par l'existence de plusieurs centres de recombinaison de diverses sections efficaces de capture, dus à la présence d'un léger excès de cadmium ou d'impuretés étrangères. L'effet photovoltaïque observé dans les photopiles en couches minces de CdS s'interprète comme conséquence d'une hétérojonction à l'interface de deux semiconducteurs différents. L'élaboration et les caractéristiques des photopiles sont décrites.

PACS
8460J - Photoelectric conversion: solar cells and arrays.
7350P - Photoconduction and photovoltaic effects.

Key words
Solar cells -- Photovoltaic cells -- Thin film devices -- Yields -- Thin films -- Photoconductivity -- Charge carrier recombination -- Cadmium sulfide -- Semiconductor materials -- II-VI compound -- Experimental study