Dispositif expérimental d'étude de la croissance cristalline à partir de bains fondus

Abstract
An apparatus has been designed for the determination by infrared thermometry of the temperature distribution on the surface of a crystal-melt system, and this has been applied to measurements of normal emissivity, thermal conductivity and growth and melting rates of tin, bismuth and lead in liquid state and in crystalline state versus the crystallographic orientation.

Résumé
Un appareil a été réalisé pour déterminer par thermométrie infrarouge la distribution des températures à la surface d'un système cristal-bain fondu, et utilisé pour la mesure du facteur d'émission normale, de la conductibilité thermique et des vitesses de croissance et de décroissance de l'étain, du bismuth et du plomb à l'état liquide et à l'état cristallin en fonction de l'orientation cristallographique.