Cristallogenèse du tellure par la méthode Czochralski

Abstract
Description of a process of growing tellurium single crystals which are of high quality and have a definite orientation : melting in a silica crucible by direct RF induction in an argon plus hydrogen atmosphere, vertical pulling of the crystals according to the c axis. This method enables one to obtain crystals weighing up to 70 g ; when the raw material previously is purified by zone melting, the p-type carrier density is about 1014 cm-3 at 77 °K. The crystals are finally annealed at 360 °C.

Résumé
On décrit une méthode de préparation de monocristaux de tellure de haute pureté et d'orientation déterminée : fusion en creuset de silice par induction directe en atmosphère d'argon hydrogéné, tirage des cristaux suivant l'axe c. Cette méthode a permis d'obtenir des cristaux pesant jusqu'à 70 g ; lorsque la matière première est préalablement purifiée par fusion de zone, la densité de porteurs p est de l'ordre de 10 14 cm-3 à 77 °K. Les cristaux sont finalement recuits à 360 °C.