Rev. Phys. Appl. (Paris) 9, 153-155 (1974)
DOI: 10.1051/rphysap:0197400901015300

Effect of rf on subharmonic gap structure in superconducting junctions

O. Hoffmann Soerensen, B. Kofoed, N.F. Pedersen et S. Shapiro

Physics Laboratory I, The Technical University of Denmark, DK-2800 Lyngby, Denmark

Abstract
The rf-power dependence of the structure in the current-voltage characteristic located at the voltage V = (2 Δ ± nhv)/me has been measured and found very similar to the familiar microwave-assisted tunneling (m = 1). 2 Δ is the superconducting energy gap, v the applied frequency, m = 1, 2, 3, ... and n = 0, 1, 2, ... That is, the variation with power of all these structures is found consistent with the expression J2 n(meVrf/hv) where J n( x) is the ordinary Bessel function and V rf the microwave voltage across the junction.

Résumé
On a mesuré l'influence de la puissance rf sur la structure de la caractéristique courant-tension pour les points donnés par la relation V = (2 Δ ± nhv)/me (2 Δ est la bande interdite du supraconducteur, v la fréquence rf, m = 1, 2, 3, ... et n = 0, 1, 2, ...). Les résultats obtenus sont très semblables à ceux correspondants à un effet tunnel assisté ; c'est-à-dire que la hauteur des marches suit une loi de la forme J2n(meV rf /hv) expression dans laquelle Jn( x) est une jonction de Bessel et Vrf la tension rf appliquée à la jonction.

PACS
7478F - Multilayers, superlattices, heterostructures.
8525A - Superconducting device characterization, design, and modeling.

Key words
Voltage current curve -- Superconducting junctions -- Energy gap -- Bessel functions -- Tunnel junction -- Superconducting point contacts -- Niobium -- Microwave field