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Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 9, Numéro 1, janvier 1974
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Page(s) | 187 - 190 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/rphysap:0197400901018700 |
Rev. Phys. Appl. (Paris) 9, 187-190 (1974)
DOI: 10.1051/rphysap:0197400901018700
Department of Physics, University of California, Berkeley, California 94720, USA
8525C - Josephson devices.
Key words
Josephson junctions -- Planar technology -- Vapor deposition -- Fabrication -- Barrier layer -- Bismuth -- Superconducting junctions -- Microscopic model -- Dimensions -- Voltage current curve -- Microwave field -- Lead -- Niobium nitrides -- Experimental study
DOI: 10.1051/rphysap:0197400901018700
Semimetal barrier planar Josephson junction
H. Ohta, M. J. Feldman, P.T. Parrish et R.Y. ChiaoDepartment of Physics, University of California, Berkeley, California 94720, USA
Abstract
The semimetal barrier planar junction is an excellent candidate for a millimeter-wave detector. It has a high resistance and a very small capacitance, it is electrically and mechanically stable, and it can easily be made in the small-junction limit. We describe the fabrication and characteristics of such junctions.
Résumé
La jonction plane à barrière semi-métallique est un excellent dispositif pour détecter des ondes millimétriques. Elle présente une résistance élevée, une faible capacité, est mécaniquement et électriquement stable et peut facilement être fabriquée avec de petites dimensions. Nous décrivons la fabrication et les caractéristiques de ces jonctions.
8525C - Josephson devices.
Key words
Josephson junctions -- Planar technology -- Vapor deposition -- Fabrication -- Barrier layer -- Bismuth -- Superconducting junctions -- Microscopic model -- Dimensions -- Voltage current curve -- Microwave field -- Lead -- Niobium nitrides -- Experimental study