Rev. Phys. Appl. (Paris) 11, 475-481 (1976)
DOI: 10.1051/rphysap:01976001104047500

Croissance épitaxique en phase liquide de GaxIn1-xp

H. Mariette, J. Bourneix et A. Marbeuf

Laboratoire de Physique des Solides, C. N. R. S., 1, Place A. Briand 92190, Meudon Bellevue, France

Abstract
The determination of crystallization paths in the phase diagram of Ga-In-P allows us to predict the growth condition for of homogeneous epitaxial films of GaxIn1-xP. Monocrystalline layers were obtained on (111) B oriented GaP substrates for x > 0.80 by cooling of the saturated melt. Layers of good quality have been grown on (111) B oriented GaAs substrates for 0.50 < x < 0.52 using a constant temperature liquid phase epitaxial vertical process. The typical luminescence spectra of these layers are presented.

Résumé
La détermination des chemins de cristallisation dans le diagramme d'équilibre Ga-In-P permet de prévoir les conditions de croissance de couches épitaxiques homogènes GaxIn1-xP. Des dépôts monocristallins sur substrats de GaP orientés suivant le plan (111) B ont été préparés pour x > 0,80 par refroidissement d'une solution saturée. Des couches de bonne qualité sur supports de GaAs orientés (111) B ont été obtenues dans le domaine de composition 0,50 < x < 0,52 par une méthode verticale de croissance épitaxique en phase liquide à température constante. Les spectres de luminescence caractéristiques de ces dépôts sont présentés.

PACS
6470 - Phase equilibria, phase transitions, and critical points.
6855 - Thin film growth, structure, and epitaxy.
7860F - Electroluminescence condensed matter.
8115 - Methods of thin film deposition.
8130D - Phase diagrams of other materials.
0510D - Epitaxial growth.
2550 - Semiconductor device technology.

Key words
crystal growth from melt -- electroluminescence -- epitaxial growth -- gallium compounds -- III V semiconductors -- indium compounds -- luminescence of inorganic solids -- phase diagrams -- semiconductor growth -- Ga sub x In sub 1 x P -- phase diagram -- luminescence spectra -- liquid phase epitaxial growth