Numéro |
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 12, Numéro 2, février 1977
|
|
---|---|---|
Page(s) | 105 - 115 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/rphysap:01977001202010500 |
DOI: 10.1051/rphysap:01977001202010500
The melt-growth and characterization of cadmium telluride
J.B. Mullin et B.W. StraughanRoyal Signals & Radar Establishment, Malvern, UK
Abstract
Developments in the melt-growth of CdTe are reviewed particularly with respect to techniques for controlling the dissociation pressure. The potential merits of Pressure Balancing are considered together with the results of a preliminary LEC growth investigation. The characterization of the LEC crystals involves a survey of the main defects-low angle grain boundaries twins, dislocations, precipitates, impurities and impurity defects-together with a discussion on their origin, and experience and suggestions for their elimination or control.
Résumé
Dans cet exposé on passe en revue les différentes méthodes de croissance de tellurure de cadmium à partir de bains fondus. On s'intéressera plus particulièrement aux techniques de contrôle de la pression de dissociation. Les avantages potentiels d'une compensation de pressions sont considérés simultanément aux premiers résultats obtenus par une croissance sous encapsulation liquide. La caractérisation des cristaux tirés sous encapsulation liquide nécessite une étude des principaux défauts physiques, des impuretés et des associations impuretés-défauts. On s'intéressera à l'origine de ces perturbations et on proposera des solutions en vue de leur contrôle, voire leur élimination.
0130R - Reviews and tutorial papers: resource letters.
6170 - Defects in crystals.
8110F - Crystal growth from melt.
0510 - Crystal growth.
2520D - II VI and III V semiconductors.
Key words
cadmium compounds -- crystal defects -- crystal growth from melt -- II VI semiconductors -- reviews -- semiconductor growth -- CdTe -- low angle grain boundaries -- twins -- dislocations -- precipitates -- impurities -- II VI semiconductor -- dissociation pressure control -- pressure balancing -- liquid encapsulation growth -- defect characterisation -- crystal melt growth -- review