| Numéro |
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 12, Numéro 2, février 1977
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| Page(s) | 147 - 150 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/rphysap:01977001202014700 | |
Rev. Phys. Appl. (Paris) 12, 147-150 (1977)
DOI: 10.1051/rphysap:01977001202014700
Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Informatique Division de Cristallogénèse et de Recherche sur les Matériaux C. E. N. G., B. P. 85, 38 Grenoble, France
8110F - Crystal growth from melt.
0510 - Crystal growth.
2520D - II VI and III V semiconductors.
Key words
cadmium compounds -- crystal growth from melt -- semiconductor growth -- programmed solution growth technique -- vertical Bridgman furnace -- Te rich solution freezing -- CdTe -- crystallisation -- II VI semiconductors -- high purity crystal growth
DOI: 10.1051/rphysap:01977001202014700
Preparation of cadmium telluride by a programmed solution growth technique
B. Schaub, J. Gallet, A. Brunet-Jailly et B. PelliciariLaboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Informatique Division de Cristallogénèse et de Recherche sur les Matériaux C. E. N. G., B. P. 85, 38 Grenoble, France
Abstract
A new method of crystallization of cadmium telluride is described. The growth is carried out, by normal freezing of a tellurium-rich solution, in a vertical Bridgman furnace. Crystals of high purity (45 mm in diameter-150 mm in length) are obtained with this process.
Résumé
Une nouvelle méthode de cristallisation du tellurure de cadmium est décrite. La croissance s'effectue dans un four de Bridgman à partir d'une solution riche en tellure. On obtient ainsi des cristaux de très haute pureté de 45 mm de diamètre et 150 mm de long.
8110F - Crystal growth from melt.
0510 - Crystal growth.
2520D - II VI and III V semiconductors.
Key words
cadmium compounds -- crystal growth from melt -- semiconductor growth -- programmed solution growth technique -- vertical Bridgman furnace -- Te rich solution freezing -- CdTe -- crystallisation -- II VI semiconductors -- high purity crystal growth