Rev. Phys. Appl. (Paris) 12, 151-154 (1977)
DOI: 10.1051/rphysap:01977001202015100

Growth of cadmium telluride by solvent evaporation

B. Lunn et V. Bettridge

Physics Dept., University of Hull, N. Humberside, U. K.

Abstract
Cadmium telluride can be grown from cadmium or tellurium rich solutions of the two elements by gradually adjusting the composition of the solution until the three phase surface is intersected. This is achieved, in the technique described, by removing excess cadmium from a cadmium rich solution by evaporation. The temperature of a reservoir of cadmium is slowly reduced, whilst maintaining a constant thermal environment in the growth region, thus reducing the activity of cadmium in the solution.

Résumé
La croissance de cristaux de tellurure de cadmium peut être effectuée à partir de solutions riches en tellure ou en cadmium, en ajustant graduellement la composition jusqu'à ce que la surface des trois phases est coupée. Dans la technique décrite dans cet article, ceci est atteint en éliminant l'excès de cadmium d'une solution riche en Cd par évaporation : la température d'un réservoir de cadmium est progressivement réduite tout en maintenant l'environnement thermique constant au voisinage de la zone de croissance, ceci conduit à une réduction progressive de l'activité du cadmium dans la solution.

PACS
8110F - Crystal growth from melt.
0510 - Crystal growth.
2520D - II VI and III V semiconductors.

Key words
cadmium compounds -- crystal growth from melt -- II VI semiconductors -- semiconductor growth -- solvent evaporation -- CdTe crystal growth -- melt growth -- II VI semiconductor -- Cd rich solution