| Numéro |
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 12, Numéro 2, février 1977
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| Page(s) | 433 - 437 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/rphysap:01977001202043300 | |
Rev. Phys. Appl. (Paris) 12, 433-437 (1977)
DOI: 10.1051/rphysap:01977001202043300
Laboratoire d'Automatique et d'Analyse des Systèmes du C. N. R. S. 7, avenue du Colonel Roche, 31400 Toulouse, France
7330 - Surface double layers, Schottky barriers, and work functions.
7340N - Electrical properties of metal nonmetal contacts.
2530D - Semiconductor metal interfaces.
Key words
electron traps -- Schottky barrier diodes -- tunnelling -- tunnelling current -- deep traps -- Schottky barriers -- theoretical approach -- tunnelling capture cross section
DOI: 10.1051/rphysap:01977001202043300
Evaluation of the tunnelling current assisted by deep traps in schottky barriers
G. Sarrabayrouse, J. Buxo, A. Myszkowski et D. EsteveLaboratoire d'Automatique et d'Analyse des Systèmes du C. N. R. S. 7, avenue du Colonel Roche, 31400 Toulouse, France
Abstract
Using the results of I. Lundström and C. Swensson for the tunneling capture cross-section of deep traps, the authors present a theoretical approach for accurately evaluating the tunneling current assisted by deep traps in Schottky diodes.
Résumé
En s'appuyant sur les travaux de I. Lundström et C. Swensson relatifs au calcul des sections efficaces de capture par effet tunnel des pièges profonds, les auteurs proposent une première évaluation théorique de l'importance de la composante de courant tunnel assisté par la présence de pièges profonds dans les diodes Schottky.
7330 - Surface double layers, Schottky barriers, and work functions.
7340N - Electrical properties of metal nonmetal contacts.
2530D - Semiconductor metal interfaces.
Key words
electron traps -- Schottky barrier diodes -- tunnelling -- tunnelling current -- deep traps -- Schottky barriers -- theoretical approach -- tunnelling capture cross section