Rev. Phys. Appl. (Paris) 12, 483-485 (1977)
DOI: 10.1051/rphysap:01977001203048300

Spectroscopie des composés Ga1-xAlxAs par modulation de longueur d'onde

R. Lande, R. Madelon, A. Hairie et A. Fortini

Laboratoire de Physique du Solide de l'Université de Caen, 14032 Caen Cedex, France

Abstract
Reflectivity measurements by wavelength modulation have been performed from 1.3 to 5.5 eV on epitaxial layers of Ga 1-xAl xAs with different compositions (0 < x < 0.62). The results, in good agreement with earlier electroreflectance measurements on these compounds, prove the great interest of this method in spite of its technical difficulties.

Résumé
On a effectué des mesures de réflectivité par modulation de longueur d'onde entre 1,3 et 5,5 eV sur des couches épitaxiales de Ga1- xAlxAs de composition variable 0 < x < 0,62. Les résultats, qui sont en bon accord avec les mesures antérieures d'électroréflectance sur ces composés, prouvent que cette méthode de modulation peut être d'un grand intérêt malgré ses difficultés techniques.

PACS
0765E - UV and visible spectroscopy and spectrometers.
7840F - Visible and ultraviolet spectra of tetrahedrally bonded nonmetals.
7865J - Optical properties of nonmetallic thin films.

Key words
aluminium compounds -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- modulation spectroscopy -- reflectivity -- semiconductor epitaxial layers -- visible and ultraviolet spectra of inorganic solids -- Ga sub 1 x Al sub x As -- 1.3 to 5.5 eV -- epitaxial layers -- wavelength modulation spectroscopy -- reflectivity