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Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 12, Numéro 5, mai 1977
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| Page(s) | 697 - 705 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/rphysap:01977001205069700 | |
DOI: 10.1051/rphysap:01977001205069700
Problèmes liés au développement des commutateurs à semiconducteur amorphe
P. Kumurdjian1, J.F. Pere1 et J.M. Mackowski21 Commissariat à l'énergie Atomique, Centre d'Etudes de Bruyères-le-Châtel B. P. 561, 92542 Montrouge Cedex, France
2 Institut de Physique Nucléaire Université Claude Bernard Lyon-1 43, Boulevard du 11 Novembre 1918, 69621 Villeurbanne, France
Abstract
We review the main difficulties that we encountered in the manufacturing of switching components based on amorphous thin film chalcogenide semiconductor. We discuss the technological, thermical and electrical aspects of the problems, particularly electrodes diffusion and electromigration ; some of our results illustrate the discussion. This brings us to the conclusion that it is possible to obtain satisfactory devices in the near future, both for amorphous semiconductor test vehicles, and for reliable electronic components.
Résumé
Nous passons en revue l'ensemble des problèmes qui nous sont apparus lors de la réalisation de composants de commutation utilisant une couche mince de semiconducteur amorphe du type chalcogénure. Aspects technologiques et comportement thermique ou électrique, notamment diffusion et électromigration des électrodes, sont illustrés par quelques-uns de nos résultats, puis analysés afin d'aboutir à un ensemble de conclusions permettant d'espérer l'apparition de dispositifs satisfaisants, susceptible d'être à la fois le support d'expériences précises sur les semiconducteurs amorphes et un composant fiable pour l'électronique.
6630Q - Electromigration in solids.
6630 - Diffusion and ionic conduction in solids.
7280N - Electrical conductivity of amorphous and glassy semiconductors.
2180B - Relays and switches.
Key words
chalcogenide glasses -- semiconductor switches -- semiconductor thin films -- switches -- amorphous semiconductors -- thin film chalcogenide semiconductor -- electrodes diffusion -- electromigration -- electronic components