Rev. Phys. Appl. (Paris) 12, 707-710 (1977)
DOI: 10.1051/rphysap:01977001205070700

Caractérisation électrique de films amorphes de As50Te 50 irradiés par des ions lourds

M. Benmalek, J.M. Mackowski et J. Tousset

Institut de Physique Nucléaire (et IN2P3), Université Claude-Bernard, Lyon I, 43, Boulevard du 11 Novembre 1918, 69621 Villeurbanne, France

Abstract
Amorphous As50Te50 films have been irradiated with Nitrogen and Neon ions in the energy range between 0.5 to 2 MeV. The electrical resistance has been monitored during the irradiation and was found to decrease. The magnitude of this decrease was depending on whether the films were preannealed or not. The conductivity enhancement is interpreted in terms of structural defects increases which give rise to density of localized states in the gap.

Résumé
Des films amorphes de composition As50Te50 sont irradiés avec des ions azote et néon d'énergie comprise entre 0,5 et 2 MeV. L'évolution de leur résistance électrique est suivie pendant et après l'irradiation. La diminution de résistivité est corrélée à l'état initial de la couche ; en particulier, le recuit initial-prérecuit module l'amplitude de cette décroissance. L'accroissement de conductivité est attribué à une augmentation du nombre des défauts structuraux, lesquels provoquent une modification de la densité des états localisés dans la bande interdite.

PACS
6180J - Ion beam effects.
7280N - Electrical conductivity of amorphous and glassy semiconductors.

Key words
amorphous semiconductors -- arsenic compounds -- electrical conductivity of amorphous semiconductors and insulators -- ion beam effects -- amorphous As sub 50 Te sub 50 films -- electrical resistance -- density of localized states -- heavy ion irradiation -- amorphous semiconductor