Rev. Phys. Appl. (Paris) 12, 721-723 (1977)
DOI: 10.1051/rphysap:01977001205072100

Détermination de la taille et de la concentration de cristallites dans une couche amorphe par mesure de conductivité

A. Gheorghiu¹, S. Squelard², K. Zellama², P. Germain² et J.C. Bourgoin<sup>2

1</sup>  Laboratoire d'Optique des Solides , Université Paris 6, Tour 13, 4, place Jussieu, 75230 Paris, France
²  Groupe de Physique des Solides de l'E. N. S. , Université Paris 7, Tour 23, 2, place Jussieu, 75331 Paris, France

Abstract
We recall the way a cristalline fraction can be obtained using conductivity measurements. We show briefly how the growth rate of crystallization, the size and the concentration of crystallites can be determined from the study o the crystallization kinetics, depending whether the crystallization is surface induced or bulk induced, in case where no homogeneous nucleation occurs. We present experimental results for amorphous germanium layers.

Résumé
On rappelle comment la fraction cristallisée peut être obtenue à partir d'une mesure de conductivité. On montre brièvement comment la vitesse de croissance, la taille et la concentration des cristallites peuvent être déterminés en étudiant la cinétique de cristallisation, suivant que celle-ci est induite en surface ou en volume, dans le cas où il n'y a pas nucléation homogène. On présente des résultats expérimentaux pour des couches de germanium amorphe.

PACS
6160 - Crystal structure of specific inorganic compounds.
7280N - Electrical conductivity of amorphous and glassy semiconductors.

Key words
amorphous semiconductors -- crystallisation -- crystallites -- germanium -- amorphous layer -- conductivity measurements -- crystallisation kinetics -- amorphous Ge layers