Rev. Phys. Appl. (Paris) 12, 767-771 (1977)
DOI: 10.1051/rphysap:01977001205076700

Propriétés photoconductrices des couches minces de sélénium amorphe

C. Viger, C. Vautier et J. Grenet

Laboratoire de Physique des Couches minces, Faculté des Sciences et des Techniques, 76130 Mont-Saint-Aignan, France

Abstract
The variation of photoconductivity with various parameters (wavelength, light intensity, electric field and temperature) was studied on amorphous selenium thin films. The experimental results are enable us to suggest that the films are predominantly composed of Ses rings. At low temperatures the photoconduction is controlled by the hopping in the mobility edge, whereas at room temperature the photogeneration is field-assisted. Lastly, the comparison between our experimental data and Davis' theories [15] permits us to calculate the band gap Eg = 2.238 eV.

Résumé
L'étude systématique, en fonction de différents paramètres (longueur d'onde, intensité lumineuse, champ électrique et température), de la photoconduction dans les couches minces de sélénium amorphe nous a permis de montrer que les films sont composés en majeure partie d'anneaux Ses, qu'aux basses températures les états qui gouvernent la mobilité commandent la photoconduction. A T = 290 K et pour les champs élevés la photoconduction est assistée par le champ. Enfin l'application des théories de Davis [15] nous a permis de déterminer la largeur de la bande interdite, Eg = 2,238 eV.

PACS
7240 - Photoconduction and photovoltaic effects: photodielectric effects.
7280C - Electrical conductivity of elemental semiconductors.
7360F - Electronic properties of semiconductor thin films.
4210 - Photoconducting materials and properties.

Key words
electrical conductivity of amorphous semiconductors and insulators -- electron energy states of amorphous solids -- elemental semiconductors -- energy gap -- selenium -- thin films -- photoconductivity -- band gap -- Se -- mobility edge hopping -- semiconductor -- parameter dependence -- amorphous thin films