Rev. Phys. Appl. (Paris) 12, 1223-1235 (1977)
DOI: 10.1051/rphysap:019770012090122300

Les matériaux pour photopiles solaires

M. Rodot, M. Barbé et J. Dixmier

Centre National de la Recherche Scientifique Programme Interdisciplinaire de recherche sur le développement de l'énergie solaire (P. I. R. D. E. S.), 75700 Paris, France

Abstract
A discussion of the technico-economic goals of solar cell research shows the necessity of developing a second type of cells which do not use single crystal Si ingots. The qualities of possible materials are analyzed : possibility of a cheap procedure of elaboration, intrinsic properties (absorption), diffusion lengths of minority carriers, possibility of building an efficient collecting structure, reliability, capability of use under solar radiation concentration. It is concluded that three materials look specially promising : thin films of polycristalline or amorphous Si, GaAs or other III-V materials under concentration, CdTe or Cu 2S prepared chemically at very low cost.

Résumé
Partant des objectifs technico-économiques de la recherche sur les photopiles solaires, on montre la nécessité de développer une deuxième filière n'utilisant pas les lingots de Si monocristallin. On discute les qualités que doit posséder le matériau choisi : possibilité d'un procédé d'élaboration économique, propriétés intrinsèques (absorption), longueur de diffusion des porteurs minoritaires, possibilité de construire une structure collectrice efficace, fiabilité, aptitude à l'usage sous concentration du rayonnement solaire. On conclut que trois filières paraissent particulièrement prometteuses : couches minces de Si polycristal ou amorphe, GaAs ou autre matériau III-V sous concentration, CdTe ou Cu2S préparés par voie chimique à très bas prix.

PACS
8630J - Photoelectric conversion: solar cells and arrays.
8420 - Solar cells and arrays.

Key words
reviews -- semiconductors -- solar cells -- intrinsic properties -- diffusion lengths -- minority carriers -- efficient collecting structure -- reliability -- thin films -- polycrystalline -- amorphous -- Si -- GaAs -- CdTe -- Cu sub 2 S -- III V semiconductors -- material developments