Rev. Phys. Appl. (Paris) 14, 245-251 (1979)
DOI: 10.1051/rphysap:01979001401024500

Etude du fonctionnement des photopiles solaires Cu2S-CdS type S.A.T.

H. Luquet, G.-M. Moussalli, J. Bougnot, M. Perotin et M. Savelli

Centre d'Etudes d'Electronique des Solides , Université des Sciences et Techniques du Languedoc, 34060 Montpellier Cedex, France

Abstract
In this article we have shown that tunneling current laws in the dark and under illumination in SAT Cu2S-CdS photocells correspond to a tunnel conduction mechanism. In addition, assuming the existence of an interface layer limited by interface states between Cu2S and CdS, we have explained the results concerning capacitance measurements as a function of the applied voltage.

Résumé
Dans cet article nous montrons que dans les photopiles Cu2S-CdS (SAT) les lois de courants à l'obscurité et sous éclairement correspondent à des mécanismes, de conduction par effet tunnel. De plus en supposant l'existence d'une couche interfaciale limitée par des états d'interfaces entre le Cu2S et le CdS, nous avons pu expliquer les résultats concernant les mesures de la capacité en fonction de la tension appliquée.

PACS
7240 - Photoconduction and photovoltaic effects: photodielectric effects.
7340L - Electrical properties of semiconductor to semiconductor contacts, p n junctions, and heterojunctions.
8630J - Photoelectric conversion: solar cells and arrays.
8630S - Photothermal conversion.
2520D - II VI and III V semiconductors.
8420 - Solar cells and arrays.

Key words
cadmium compounds -- copper compounds -- II VI semiconductors -- semiconductor thin films -- solar cell arrays -- solar cells -- tunneling current laws -- SAT Cu sub 2 S CdS photocells -- tunnel conduction mechanism -- interface layer -- interface states -- capacitance measurements -- applied voltage