Rev. Phys. Appl. (Paris) 14, 481-484 (1979)
DOI: 10.1051/rphysap:01979001403048100

Energy dependence of defect energy levels in electron irradiated silicon

J. Krynicki¹, J.C. Bourgoin¹ et G. Vassal<sup>2

1</sup>  Groupe de Physique des Solides de l'Ecole Normale Supérieure, Université Paris V, Tour 23, 2 place Jussieu, 75221 Paris Cedex 05, France
²  Direction des Recherches, Alsthom-Atlantique, 9, rue Ampère, 91301 Massy, France

Abstract
We have studied through capacitance techniques (TSCAP and DLTS) the variation of the introduction rate of defects with the energy of the electrons in n-type silicon irradiated at room temperature. The results obtained provide a direct confirmation of the identification of the observed defects which was proposed in the literature : the Ec - 0.39 and Ec - 0.23 eV levels, attributed to the divacancy are found to have a threshold whose value is two times the threshold energy (25 eV) for vacancy-type defects (the Ec - 0.43 eV level). The Ec - 0.33 eV which is not yet identified should correspond to a vacancy-type defect since its threshold energy is 25 eV.

Résumé
Nous avons étudié par des techniques capacitives (TSCAP et DLTS) la variation du taux d'introduction des défauts avec l'énergie des électrons dans du silicium de type n irradié à la température ambiante. Les résultats obtenus confirment de façon directe l'identification des défauts observés qui est proposée dans la littérature : les niveaux à Ec - 0,39 eV et E c - 0,23 eV, attribués à la dilacune, ont une énergie de seuil qui a une valeur double de l'énergie de seuil pour les défauts de type lacunaire (le niveau Ec - 0,43 eV). Le niveau à Ec - 0,33 eV, qui n'a pas encore été identifié, devrait correspondre à un défaut lacunaire puisque son énergie de seuil est de 25 eV.

PACS
6180F - Electron and positron effects.
7155F - Impurity and defect levels in tetrahedrally bonded nonmetals.

Key words
capacitance -- defect electron energy states -- elemental semiconductors -- silicon -- defect energy levels -- capacitance techniques -- threshold energy -- n Si -- electron beam effects -- elemental semiconductor -- vacancy type defect -- thermally stimulated capacitance -- deep level transient spectroscopy