Rev. Phys. Appl. (Paris) 14, 485-490 (1979)
DOI: 10.1051/rphysap:01979001403048500

Caractérisation des cellules solaires silicium (n)-In2O3 (dope Sn) préparées par une méthode de vaporisation

J. Calderer, J.C. Manifacier, L. Szepessy, J.M. Darolles et M. Perotin

Centre d'Etudes d'Electronique des Solides , Université des Sciences et Techniques du Languedoc, 34060 Montpellier Cedex, France

Abstract
The silicon (n-type)-In2O3 (Sn doped) heterojunction structure is studied. This structure is prepared using a very simple and fast spray method. Conversion efficiency up to η = 10 % under AM1 simulated sunlight is reported. The current-voltage and capacitance-voltage characteristics are reported versus temperature between T = 77 K and T = 300 K. The results agree with an abrupt junction model in presence of a thin insulating layer.

Résumé
La cellule solaire du type hétérojonction silicium (type n)-In2O 3 (dopé Sn) est étudiée. Cette structure est préparée par une méthode de vaporisation simple et rapide. Les rendements de conversion obtenus sous éclairement solaire simulé AM1 sont voisins de η = 10 %. Les caractéristiques courant-tension et capacité-tension sont reportées en fonction de la température entre T = 77 K et T = 300 K. L'ensemble des résultats est cohérent avec un modèle de jonction abrupte en présence d'une fine couche interfaciale isolante.

PACS
7340L - Electrical properties of semiconductor to semiconductor contacts, p n junctions, and heterojunctions.
8630J - Photoelectric conversion: solar cells and arrays.
2530D - Semiconductor metal interfaces.
8420 - Solar cells and arrays.

Key words
elemental semiconductors -- indium compounds -- p n heterojunctions -- semiconductor materials -- silicon -- tin -- solar cells characterisation -- n Si In sub 2 O sub 3 :Sn -- conversion efficiency