Rev. Phys. Appl. (Paris) 14, 587-594 (1979)
DOI: 10.1051/rphysap:01979001404058700

Influence des durées de vie sur les caractéristiques statiques modélisées de diodes vertes au GaP

G. Batailler, J. Bernard et P. Garcia

Faculté des Sciences, Laboratoire d'Optoélectronique, 40, avenue du Recteur Pineau, 86022 Poitiers Cedex, France

Abstract
The knee observed on the experimental static curve Log L = f (Log J) for the GaP green emitting diodes is shown, on an analytic model applied to our studied diodes, as the result of competition between the non radiative currents generated in the space charge and neutral regions ; for any excitation level, the radiative current is generated in N region. The adaptation of this model to the experimental results enable an order of magnitude to be given for the excess carriers lifetimes relative to radiative and nonradiative recombinaison centres.

Résumé
La cassure observée sur la caractéristique statique expérimentale Log L = f(Log J) de diodes vertes au GaP est montrée, à l'aide d'un modèle analytique appliqué aux échantillons étudiés, comme résultant de la compétition entre la composante du courant non radiatif générée dans la zone de charge d'espace (bas niveaux) et celles générées dans les régions N et P, le courant radiatif étant principalement généré dans la région N quel que soit le niveau d'excitation. L'adaptation du modèle à l'expérience permet de préciser des ordres de grandeur des durées de vie des porteurs en excès relatives aux centres de recombinaison radiatifs et non radiatifs.

PACS
4260D - Light emitting diodes.

Key words
carrier lifetime -- gallium compounds -- III V semiconductors -- light emitting diodes -- lifetimes -- theoretical static characteristics -- GaP green emitting diodes -- carriers lifetimes -- III V semiconductor