Rev. Phys. Appl. (Paris) 14, 635-638 (1979)
DOI: 10.1051/rphysap:01979001405063500

Centres profonds associés au palladium dans le silicium

M. Calligaro

Thomson, C.S.F./D.M.H., Domaine de Corbeville, 91401 Orsay, France

Abstract
The concentration, activation energies and thermal emission rate of majority carriers of palladium induced centers in silicon have been measured by thermally stimulated capacitance (TSCAP), and by deep level transient spectroscopy (DLTS). Three levels are observed : two acceptors at Ec - 0.21 eV and Ev + 0.24 eV and a donor at E v + 0.32 eV. The cooling conditions after palladium diffusion influence the nature and the concentration of the electrically active centers.

Résumé
Les concentrations, énergie d'activation et coefficient d'émission thermique des porteurs majoritaires des centres associés au palladium diffusé dans le silicium sont déterminés par méthodes thermocapacitives : capacitance thermostimulée et spectroscopie capacitive transitoire. Trois niveaux sont observés : deux accepteurs à Ec - 0,21 eV et E v + 0,24 eV et un donneur à Ev + 0,32 eV. La présence et la concentration de ces pièges dépendent du traitement thermique ultérieur à la diffusion.

PACS
7155F - Impurity and defect levels in tetrahedrally bonded nonmetals.
7220J - Charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping semiconductors/insulators.
7280C - Electrical conductivity of elemental semiconductors.

Key words
capacitance -- deep levels -- palladium -- silicon -- thermally stimulated currents -- concentration -- activation energies -- thermal emission rate -- majority carriers -- thermally stimulated capacitance -- deep level transient spectroscopy -- Si:Pd -- elemental semiconductors