Rev. Phys. Appl. (Paris) 14, 757-761 (1979)
DOI: 10.1051/rphysap:01979001408075700

Finite size arrays of proximity effect bridges

J.L. Berchier et D.H. Sanchez

Département de Physique de la Matière Condensée, Université de Genève, 32, bd d'Yvoy, 1211 Genève 4, Suisse

Abstract
We have studied devices consisting of 20 x 20 two dimensional arrays of proximity effect junctions of Au/In. The DC resistance at the origin as a function of temperature shows a transition at Tc (In) and another one at T*c, below Tc (In) but above Tc (Au/In). At T*c the devices go into a resistanceless state even though they are composed of SNS junctions. Different shapes of the current-voltage curves characterize each temperature region.

Résumé
Nous avons étudié des réseaux 20 x 20 bidimensionnels de jonctions à effet de proximité en Au/In. La résistance statique à l'origine en fonction de la température montre une transition à Tc (In) et une autre à T*c, inférieure à Tc (In), mais supérieure à Tc (Au/In). A T*c, le système passe dans un état où il n'y a plus de résistance même s'il est composé de jonctions SNS. Chaque région de température est caractérisée par différentes formes de courbes courant-tension.

PACS
7450 - Superconductor tunnelling phenomena, proximity effects, and Josephson effect.
3240C - Superconducting junction devices.

Key words
gold -- indium -- proximity effect -- superconducting junction devices -- proximity effect bridges -- DC resistance -- finite size arrays -- current voltage times