Rev. Phys. Appl. (Paris) 14, 829-835 (1979)
DOI: 10.1051/rphysap:01979001409082900

Propriétés électrochimiques d'électrodes monocristallines de tellurure de zinc non intentionnellement dopées

J.L. Sculfort

Laboratoire d'électrochimie interfaciale du C.N.R.S., 1, place Aristide-Briand, 92190 Meudon Bellevue, France

Abstract
In this work, impedance measurements of single crystals ZnTe electrodes in indifferent electrolytes (with different pH) has been studied. The observed frequency dependence of the capacitance and resistance can be attributed to deep levels due to zinc and surface states. The number of majority carriers has been evaluated. Positions of energy levels is obtained in relation to the nature of anions at the interface.

Résumé
Ce travail concerne l'étude de l'impédance de l'interface d'une électrode monocristalline de ZnTe et d'un électrolyte indifférent de pH variable. Nous avons montré l'existence de niveaux profonds attribués au zinc et d'états localisés en surface qui impliquent une variation très importante des éléments de l'impédance en fonction de la fréquence de la perturbation alternative. Le nombre de porteurs majoritaires a été évalué. La position des niveaux d'énergie est donnée en fonction de l'index de la face cristallographique et de la nature des anions à l'interface.

PACS
7155F - Impurity and defect levels in tetrahedrally bonded nonmetals.
7340M - Electrical properties of semiconductor electrolyte contacts.
8245 - Electrochemistry and electrophoresis.
2530N - Other semiconductor interfaces and junctions.

Key words
deep levels -- electrochemical electrodes -- II VI semiconductors -- semiconductor electrolyte boundaries -- zinc compounds -- single crystal ZnTe electrodes -- impedance measurements -- frequency dependence -- capacitance -- resistance -- majority carriers -- energy levels