Rev. Phys. Appl. (Paris) 14, 875-886 (1979)
DOI: 10.1051/rphysap:019790014010087500

Approche théorique de la cinétique de croissance des dépôts épitaxiés d'arséniure de gallium par CVD-OM et confrontation avec les résultats expérimentaux

G. Gave, M. Le Métayer et J.E. Bourée

C.N.E.S., 18, avenue Edouard-Belin, 31055 Toulouse Cedex, France

Abstract
The purpose of this paper consists of quantifying by the emeans of a simplified calculation model, the growth of epitaxial gallium arsenide layers by using the pyrolysis of the Ga(CH3)3-AsH3-H 2 gas mixture. The following parameters studied are : - gas flows of hydrogen, gallium trimethyl and arsine - pressure inside of the reactor - temperature of the substrate - geometry of the reactor Good correlation between theoretical and experimental results were obtained.

Résumé
Le présent exposé a pour objet de quantifier au moyen d'un modèle de calcul simplifié la cinétique de croissance des couches épitaxiées d'arséniure de gallium obtenues par pyrolyse du mélange gazeux : Ga(CH3) 3-AsH3-H2 Les paramètres étudiés sont : - le débit d'hydrogène, d'arsine et de triméthylgallium - la pression dans le réacteur - la température du substrat - la géométrie du réacteur. Les résultats théoriques obtenus sont en bon accord avec les résultats expérimentaux.

PACS
6855 - Thin film growth, structure, and epitaxy.
8115H - Chemical vapour deposition.
0510D - Epitaxial growth.

Key words
gallium arsenide -- III V semiconductors -- semiconductor epitaxial layers -- vapour phase epitaxial growth -- growth kinetics -- epitaxial deposits -- GaAs -- pyrolysis -- Ga CH sub 3 sub 3 AsH sub 3 H sub 2