Rev. Phys. Appl. (Paris) 15, 869-874 (1980)
DOI: 10.1051/rphysap:01980001504086900

Niveaux profonds dans le GaAs implanté bore

B. Toulouse et P.N. Favennec

Centre National d'Etudes des Télécommunications (CPM/PMT), 22301 Lannion Cedex, France

Abstract
Boron implanted behaviour has been studied in n Se implanted layers (thickness 0.25 μm) in semiinsulating GaAs substrated (Cr doped). As our samples show high resistivity we have used an optically stimulated transient current method. The transient currents are studied as function of temperature as in D.L.T.S. Some levels appear with boron implantation. The transient currents as function of boron concentration study does not show levels connected with boron. On the other hand a level, generally attributed to As excess, decreases when boron concentration increases. We discuss those results in this paper.

Résumé
Nous avons étudié le comportement du bore implanté dans des couches n obtenues par implantation de sélénium (épaisseur 0,25 μm) dans des substrats semi-isolants de GaAs dopés Chrome. Les échantillons présentant une forte résistivité, nous avons utilisé une méthode de courant transitoire stimulé optiquement. Les courants transitoires obtenus sont analysés en fonction de la température comme en D.L.T.S. Une comparaison entre les échantillons implantés bore et non implantés montre que l'implantation de bore a pour effet de faire apparaître des centres profonds. L'étude en fonction de la concentration de bore ne montre pas de niveaux liés au bore, mais un niveau généralement attribué à un excès d'Arsenic diminue quand la concentration de bore augmente. Une discussion de ces résultats est présentée dans ce papier.

PACS
6170T - Doping and implantation of impurities.
7155F - Impurity and defect levels in tetrahedrally bonded nonmetals.
7240 - Photoconduction and photovoltaic effects: photodielectric effects.
7280E - Electrical conductivity of III V and II VI semiconductors.
2520D - II VI and III V semiconductors.

Key words
boron -- gallium arsenide -- photoconductivity -- semiconductor doping -- GaAs -- optically stimulated transient current method -- As excess -- III V semiconductors -- B implantation -- deep levels -- n Se implanted layers -- Cr dopant -- DLTS -- B concentration