Rev. Phys. Appl. (Paris) 15, 973-975 (1980)
DOI: 10.1051/rphysap:01980001505097300

Influence de la température sur la vitesse limite des porteurs dans un transistor M.O.S. à canal court

M. Gamboa, G. Sarrabayrouse, H. Tranduc et P. Rossel

Laboratoire d'Automatique et d'Analyse des Systèmes 7, avenue du Colonel-Roche, 31400 Toulouse, France

Abstract
A method for determining the temperature dependence of the saturation velocity in a short channel M.O.S. transistor is proposed ; it turns out that the dependence is exponential in agreement with the results of other authors.

Résumé
Une méthode de détermination expérimentale du mode d'évolution de la vitesse limite des porteurs dans un transistor M.O.S. à canal court avec la température est proposée. Il est montré que ces variations sont de type exponentiel en accord avec des résultats expérimentaux obtenus par d'autres auteurs.

PACS
7340Q - Electrical properties of metal insulator semiconductor structures.
2560R - Insulated gate field effect transistors.

Key words
insulated gate field effect transistors -- carrier saturation velocity -- short channel MOS transistor -- temperature dependence