Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 15, Numéro 10, octobre 1980
Page(s) 1501 - 1504
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:0198000150100150100
Rev. Phys. Appl. (Paris) 15, 1501-1504 (1980)
DOI: 10.1051/rphysap:0198000150100150100

Relation entre composition paramètre de maille et bande interdite des composés Pb1-xCdxTe

Y. Kulvitit, S. Rolland, R. Granger et C.M. Pelletier

I.N.S.A., Laboratoire de Physique des Solides, 35043 Rennes Cedex, France


Abstract
Experimental results about lattice constant and band gap versus composition x of Pb1-xCdxTe compounds are reported here. These results are somewhat different from those already published. This discrepancy is explained by the presence of CdTe precipitates in the materials used previously. It's pointed out that density and lattice constant measurements cannot show the existence of several percent of precipitated CdTe.


Résumé
Les relations entre les valeurs expérimentales de composition en cadmium x, de paramètre de maille a et de largeur de bande interdite E g, des composés Pb1-xCdxTe, sont présentées pour x < 0,15. Ces résultats sont quelque peu différents de ceux déjà présentés. La différence est expliquée par la présence d'une plus grande quantité de cadmium précipitée sous forme de CdTe dans les matériaux obtenus antérieurement. On montre que la présence d'une fraction de cadmium précipitée de quelques % ne peut être mise en évidence par mesure de paramètre de maille et de masse volumique.

PACS
6160 - Crystal structure of specific inorganic compounds.
6475 - Solubility, segregation, and mixing.
7125T - Electronic structure of crystalline semiconductor compounds and insulators.
8130M - Precipitation.

Key words
cadmium compounds -- energy gap -- lattice constants -- lead compounds -- precipitation -- semiconductor materials -- lattice constant -- band gap -- Pb sub 1 x Cd sub x Te -- composition -- CdTe precipitates -- density -- semiconductor