Rev. Phys. Appl. (Paris) 17, 49-54 (1982)
DOI: 10.1051/rphysap:0198200170204900

Weak-field magnetoresistance coefficients and the related magnetoresistance skewness effect

D.S. Kyriakos, O.E. Valassiades et N.A. Economou

Department of Physics, Aristotelion University of Thessaloniki, Greece

Abstract
This work presents an overall view of the measurements concerning the galvanomagnetic coefficients in the weak-field case with an attempt to emphasize the physical significance of the results. The method is based on the anisotropy induced in the electrical behaviour by the magnetic field. Emphasis is also given in explaining the magnetoresistance skewness effect. A comparison with the classical method is also presented to indicate the advantage of the method. Finally the method is analyzed for measurements on n-type Ge for which the energy band model is derived to obtain the ml/m t ratio which in return is used to obtain the scattering factor, the carrier density and the drift mobility. The results are in accordance with previous findings.

Résumé
Ce travail présente une vue d'ensemble des mesures concernant les coefficients galvanomagnétiques dans le cas du champ faible afin de préciser la signification physique des résultats. La méthode est basée sur 1'anisotropie induite dans le comportement électrique à cause du champ magnétique. L'accent est mis aussi sur l'explication de l'effet de magnétorésistance oblique. Une comparaison avec la méthode classique est présentée pour indiquer les avantages de notre méthode. Celle-ci est appliquée à des mesures sur Ge de type n pour lequel le modèle des bandes d'énergie permet de déduire le quotient ml/mt ; ce quotient est utilisé pour obtenir le facteur de scattering, la densité et la mobilité des porteurs. Les résultats obtenus sont en accord avec les résultats antérieurs.

PACS
7220M - Galvanomagnetic and other magnetotransport effects semiconductors/insulators.
7280C - Electrical conductivity of elemental semiconductors.

Key words
carrier mobility -- electrical conductivity of crystalline semiconductors and insulators -- elemental semiconductors -- germanium -- magnetoresistance -- elemental semiconductor -- galvanomagnetic coefficients -- weak field case -- magnetoresistance skewness effect -- energy band model -- n type Ge -- scattering factor -- carrier density -- drift mobility