Rev. Phys. Appl. (Paris) 17, 125-132 (1982)
DOI: 10.1051/rphysap:01982001703012500

n ITO/p InP : a photo and electroluminescent diode

L. Gouskov, H. Luquet, C. Gril, A. Oemry et M. Savelli

Groupe d'Etudes des Matériaux, Composants et Systèmes, Centre d'Etudes d'Electronique des Solides, Université des Sciences et Techniques du Languedoc, 34060 Montpellier Cedex, France

Abstract
ITO/InP photodetectors and electroluminescent diodes have been fabricated spraying a ITO layer onto a single crystal p InP. The results of electrical and interface characterizations agree with a model of a buried homojunction. The maximum quantum efficiency reaches 0.9. The electroluminescence is correlated to the recombination on the acceptors in the p InP, the emitted light at 1.34 eV for a direct current of 0.1 A is 0.67 mW.

Résumé
Des diodes ITO/InP ont été fabriquées en déposant une couche d'ITO par pulvérisation chimique réactive sur un substrat monocristallin d'InP de type p. Ces diodes sont à la fois photodétectrices et électroluminescentes. Les résultats des caractérisations électriques et l'étude de l'interface suggèrent que ces diodes sont des homojonctions enterrées. Le rendement quantique maximum atteint 0,9. L'électroluminescence est due à la recombinaison sur les accepteurs dans InP p, la puissance lumineuse émise à 1,34 eV pour un courant continu de 100 mA est de 0,67 mW.

PACS
7220J - Charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping semiconductors/insulators.
7240 - Photoconduction and photovoltaic effects: photodielectric effects.
7340L - Electrical properties of semiconductor to semiconductor contacts, p n junctions, and heterojunctions.
7855D - Photoluminescence in tetrahedrally bonded nonmetals.
7860F - Electroluminescence condensed matter.
4250 - Photoelectric devices.
4260D - Light emitting diodes.

Key words
electroluminescence -- electron hole recombination -- III V semiconductors -- indium compounds -- light emitting diodes -- luminescence of inorganic solids -- photodiodes -- tin compounds -- acceptor recombination -- photoluminescence -- electroluminescent diodes -- interface characterizations -- buried homojunction -- maximum quantum efficiency