Rev. Phys. Appl. (Paris) 17, 793-799 (1982)
DOI: 10.1051/rphysap:019820017012079300

Etude expérimentale du bruit de fond des amplificateurs et transistors par une méthode de mesure directe

G. Blasquez et J. Borreil

Laboratoire d'Automatique et d'Analyse des Systèmes du C.N.R.S., 7, avenue du Colonel Roche, 31400 Toulouse, France

Abstract
The new method proposed in the Revue de Physique Appliquée 15 (1980) 1007, for noise figure measurements in amplifiers and transistors, was modelled and tested. It was shown that the fundamental circuit of this method has the behaviour of a unity feedback system and an open loop gain GA( f) equal to those found in classical arrangements of noise figure measurements. It was demonstrated that this circuit allows not only noise figure measurements, but also those of the equivalent input noise generators. A calculation of the limitations indicated that the allowed values for GA( f) and the bandwidth where the results are significant, are defined by the condition GA(f) ≽ 3. The permitted values of the source resistance are lower than those of the inverse of the reverse transfer admittance y12. Experiments confirmed that this method is simpler to use, more accurate and faster than classical methods.

Résumé
La nouvelle méthode de mesure du facteur de bruit des transistors et amplificateurs proposée dans la Revue de Physique Appliquée 15 (1980) 1007, a été rediscutée et essayée. Il a été montré que le circuit de base employé dans cette méthode se comporte comme un système à boucle de contre-réaction unitaire et que le gain en boucle ouverte GA(f) est égal à celui des montages classiques de mesure du facteur de bruit. Il a été précisé que ce circuit permet non seulement les mesures de facteur de bruit mais aussi celles des générateurs équivalents de bruit situés à l'entrée des dispositifs à caractériser. Le calcul des limitations a indiqué que les valeurs admissibles de GA(f) et la bande des fréquences où les résultats sont significatifs, sont définies par la condition GA(f) ≽ 3. Les valeurs permises de la résistance de source sont celles qui sont inférieures à l'inverse du module de l'admittance de transfert inverse y 12. Les essais ont confirmé que cette nouvelle méthode est plus simple à mettre en oeuvre, plus précise et plus rapide que les méthodes classiques.

PACS
1220 - Amplifiers.
2560J - Bipolar transistors.
2560S - Other field effect devices.
7310Z - Other electric variables measurement.

Key words
electric noise measurement -- transistors -- noise -- amplifiers -- direct measurement method -- fundamental circuit -- unity feedback system -- open loop gain -- input noise generators -- bandwidth -- source resistance -- inverse -- reverse transfer admittance