Rev. Phys. Appl. (Paris) 18, 207-212 (1983)
DOI: 10.1051/rphysap:01983001804020700

Synthèses comparées d'AlSb par recuit laser et décharge capacitive

L. Baufay, R. Andrew, A. Pigeolet et L.D. Laude

Université de l'Etat, 7000 Mons, Belgique

Abstract
The preparation of AlSb films by pulsed laser is compared to a capacity discharge annealing of Al/Sb sandwiches in order to shed light upon the nature of the transformation. Using 1000 Å thick multilayer films supported by glass substrates, we investigate the energy threshold for complete transformation as a function of (laser or capacity discharge) pulse duration from 10-7 to 10-1 s. We then calculated the temperature raise directly induced by the energy pulse to be, in the two regimes, at least 900 K, which is approximately the melting points of the metallic components.

Résumé
La synthèse de film mince d'AISb est réalisée à partir de films sandwiches Al/Sb soumis soit à un rayonnement laser, soit à une décharge capacitive. La comparaison entre ces deux techniques permet une meilleure compréhension de la nature de la transformation. L'énergie de seuil nécessaire pour que la transformation soit complète (dans le cas de films multicouches dont l'épaisseur totale est de l'ordre de 1 000 Å) est mesurée en fonction de la durée de la pulsation, sur une gamme s'étendant de 10-7 à 10-1 s. La température induite par ces pulsations d'énergie est ensuite calculée être d'au moins 900 K, soit approximativement les points de fusion des composants.

PACS
6180B - Ultraviolet, visible and infrared radiation effects.
6855 - Thin film growth, structure, and epitaxy.
8115 - Methods of thin film deposition.

Key words
aluminium compounds -- annealing -- laser beam annealing -- semiconductor growth -- semiconductor thin films -- III V semiconductors -- thin film -- AlSb -- capacitative discharge annealing -- pulsed laser -- multilayer films -- glass substrates