Rev. Phys. Appl. (Paris) 18, 703-707 (1983)
DOI: 10.1051/rphysap:019830018011070300

Résonance paramagnétique de défauts générés par irradiation neutronique dans l'arséniure de gallium

A. Goltzene, B. Meyer et C. Schwab

Laboratoire de Spectroscopie et d'Optique du Corps Solide , Université Louis Pasteur, 5, rue de l'Université, 67000 Strasbourg, France

Abstract
Electron paramagnetic spectra of fast neutron irradiated GaAs, obtained in the 4.2-300 K temperature range, have been analysed in terms of a quadruplet, whose parameters are constrained to the As4+Ga model, and a singlet. The temperature variation of the quadruplet hyperfine constant and the intensity, which does not follow a Curie law, are ascribed to an exchange interaction between As 4+Ga and an associated defect, like related to the singlet line. The generation rate corresponds to some 102 complex defects per absorbed fast neutron.

Résumé
Nous avons utilisé les spectres de résonance paramagnétique obtenus entre 4,2 et 300 K sur GaAs après irradiation aux neutrons rapides, en décomposant le spectre expérimental en un quadruplet contraint aux paramètres du modèle As4+Ga et un singulet. La variation de la constante hyperfine du quadruplet et celle de l'intensité, anormale par rapport à une loi de Curie, ont été attribuées à un effet d'échange entre As4+Ga et un défaut associé, responsable du singulet. Le rendement de création de ce complexe est de 10 2 par neutron rapide absorbé.

PACS
6180H - Neutron effects.
7170C - Crystal and ligand fields.
7170G - Exchange interactions condensed matter.
7630M - EPR of colour centres and other defects.

Key words
crystal hyperfine field interactions -- exchange interactions electron -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- neutron effects -- paramagnetic resonance of defects -- 4.2 to 300K -- electron paramagnetic resonance -- neutron irradiation induced defects -- GaAs -- temperature variation -- quadruplet hyperfine constant -- Curie law -- exchange interaction