Rev. Phys. Appl. (Paris) 19, 17-20 (1984)
DOI: 10.1051/rphysap:0198400190101700

Comportement à deux modes de Ga(x)In(1 - x)P ? Diffusion Raman résonnante par les modes rendus actifs par le désordre

E. Bedel, R. Carles, G. Landa et J.B. Renucci

Laboratoire de Physique des Solides, Associé au CNRS, Université Paul Sabatier, 118, route de Narbonne, 31062 Toulouse Cedex, France

Abstract
A critical analysis of previous data on vibrational properties joined with our experimental studies of the symmetry and the resonance behaviour of Raman structures near the direct band gap lead to question the one-mode behaviour of the longwavelength optical modes.

Résumé
Une analyse critique des résultats déjà obtenus sur les propriétés vibratoires des alliages Ga(x)In(1-x)P jointe à une étude expérimentale des symétries et des résonances des structures Raman, au voisinage de E(Γ), conduisent à la remise en cause du comportement à un mode des modes de grandes longueurs d'onde dans ce système.

PACS
6320D - Phonon states and bands, normal modes, and phonon dispersion.
6350 - Vibrational states in disordered systems.
7830G - Infrared and Raman spectra in inorganic crystals.

Key words
energy gap -- gallium compounds -- indium compounds -- lattice dynamics -- Raman spectra of inorganic solids -- vibrational states in disordered systems -- resonance Raman scattering -- III V semiconductors -- two mode behaviour -- Ga sub x In sub 1 x P -- disorder induced modes -- vibrational properties -- symmetry -- direct band gap -- long wavelength optical modes