Rev. Phys. Appl. (Paris) 20, 71-75 (1985)
DOI: 10.1051/rphysap:0198500200207100

Conception avec règles en lambda d'une ROM 4-valuée

D. Etiemble¹, J. Ehrlich¹, B. Nateghi¹ et E. Lavelle<sup>2

1</sup>  Université P. et M. Curie, Paris VI, 75230 Paris Cedex 05, France
²  SAGEM, Pontoise, France

Abstract
4-valued ROMS, with 2-bit per cell, are a valuable solution to increase memory density of Read Only Memories. Intel presentation of a 4-valued ROM didn't give details on the technological tolerances that are needed. We show that a 4-valued ROM can be designed with the French MultiProject Circuit (MPC) simplified design rules and large parameter tolerances. We compare it with the corresponding binary ROM using the same design rules.

Résumé
L'utilisation de ROMS 4-valuées, avec 2 bits par cellule, est une solution intéressante pour diminuer la taille des mémoires à lecture seule (ROM) de grosse capacité. Alors que la publication originale d'Intel ne donnait aucune information sur les tolérances technologiques, nous montrons la « faisabilité » d'une conception avec règles en λ sur le CMP français (Circuit Multi-Projets) d'une ROM 4-valuée que nous comparons avec la ROM binaire de même capacité utilisant les mêmes règles de dessin.

PACS
1265D - Memory circuits.
5320G - Semiconductor storage.

Key words
integrated memory circuits -- logic design -- read only storage -- lambda rules design -- 4 valued ROM -- 2 bits per cell -- memory density -- French MultiProject Circuit -- simplified design rules -- large parameter tolerances