Rev. Phys. Appl. (Paris) 20, 77-86 (1985)
DOI: 10.1051/rphysap:0198500200207700

Etude et synthèse de résines positives sensibles aux électrons et aux rayons X utilisées dans les procédés de microlithographie

B. Serre¹, F. Schué¹, A. Eranian², E. Datamanti², J.C. Dubois², C. Montginoul³ et L. Giral<sup>3

1</sup>  Laboratoire de Chimie Macromoléculaire, Université des Sciences et Techniques du Languedoc, Place E. Bataillon, 34060 Montpellier, France
²  Laboratoire Central de Recherches, Thomson CSF, Domaine de Corbeville, 91401 Orsay, France
³  Laboratoire de Chimie Organique Structurale, Université des Sciences et Techniques du Languedoc, Place E. Bataillon, 34060 Montpellier, France

Abstract
In order to enhance the sensitivity of positive resists, two directions of research have been followed : - the first one concerns the incorporation of fluorine atoms into poly(alkylmethacrylate) ester chain of different length and structure, - in the second one concerns poly(alkyl α-cyanoacrylates). The lithographic characteristics of the different resists under electron and X ray radiations are given here.

Résumé
En vue d'améliorer la sensibilité des résines positives deux directions de recherche ont été poursuivies : - l'une a trait aux poly(méthacrylates d'alcoyle) fluorés sur la chaîne ester avec des structures et des longueurs de chaînes différentes, - l'autre a trait aux poly(α-cyanoacrylates d'alcoyle). Les caractéristiques lithographiques des différentes résines synthétisées et exposées à l'action d'un rayonnement (électrons et RX) font l'objet de ce travail.

PACS
2550 - Semiconductor device technology.
2550G - Lithography semiconductor technology.

Key words
electron beam lithography -- electron resists -- photoresists -- polymers -- X ray sensitive positive resists -- electron sensitive positive resists -- microlithography -- sensitivity -- poly alkylmethacrylate ester chains -- poly alkyl alpha cyanoacrylates