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Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 21, Numéro 4, avril 1986
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| Page(s) | 283 - 287 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/rphysap:01986002104028300 | |
Rev. Phys. Appl. (Paris) 21, 283-287 (1986)
DOI: 10.1051/rphysap:01986002104028300
Laboratoire d'Automatique et d'Analyse des Systèmes du C.N.R.S., 7, Avenue du Colonel Roche, 31077 Toulouse Cedex, France
2940P - Semiconductor detectors.
2970J - Integral methods of radiation detection.
7420 - Particle and radiation detection and measurement.
Key words
dosimetry -- metal insulator semiconductor devices -- semiconductor counters -- MOS radiation dosimeters -- MOS transistors
DOI: 10.1051/rphysap:01986002104028300
Electrical properties of MOS radiation dosimeters
G. Sarrabayrouse, A. Bellaouar et P. RosselLaboratoire d'Automatique et d'Analyse des Systèmes du C.N.R.S., 7, Avenue du Colonel Roche, 31077 Toulouse Cedex, France
Abstract
MOS transistors are used for radiation dosimetry. The sensitivity obtained is ranging between 20 mV/ Gray (SiO2) and 1,5 V/Gray (SiO 2). Good linearity and stability of the transistor response is obtained.
Résumé
Des transistors MOS sont utilisés comme dosimère de rayonnement. La sensibilité obtenue couvre la gamme 20 mV/Gray (SiO2)-1,5 V/Gray (SiO 2). La linéarité et la stabilité de la réponse est satisfaisante.
2940P - Semiconductor detectors.
2970J - Integral methods of radiation detection.
7420 - Particle and radiation detection and measurement.
Key words
dosimetry -- metal insulator semiconductor devices -- semiconductor counters -- MOS radiation dosimeters -- MOS transistors