Rev. Phys. Appl. (Paris) 21, 579-584 (1986)
DOI: 10.1051/rphysap:019860021010057900

Photoconductivity in amorphous thin films of Ge22Se68Bi 10

R. Mathur et A. Kumar

Department of Physics, Harcourt Butler Technological Institute, Kanpur, 208002, India

Abstract
Temperature and intensity dependence of steady state photoconductivity is studied in amorphous thin films of Ge22Se68Bi 10 prepared by vacuum evaporation. Photoconductivity increases exponentially with temperature between 310 K and 410 K and no maxima is found in this temperature range. The ratio Iph/ Id is about 6 at 310 K and decreases continuously as temperature is increased. Photoconductivity with intensity follows a power law where the power (γ) varies from 0.86 to 0.62 as the temperature is increased from 310 K to 380 K. Transient photoconductivity and thermally stimulated currents have also been measured on the same sample. A non-exponential decay of photoconductivity is observed which is very slow at room temperature in this material. A peak in TSC is observed at 365 K. The present measurements indicate the presence of continuous distribution of localized states in thin films of Ge22Se68Bi10.

Résumé
La dépendance, en température et en intensité d'illumination, de la photoconductivité à l'état stationnaire est étudiée dans des films minces amorphes de Ge 22Se68Bi10 préparés par évaporation sous vide. La photoconductivité croît exponentiellement avec la température entre 310 K et 410 K et aucun maximum n'est trouvé dans ce domaine de température. Le rapport Iph/Id vaut environ 6 à 310 K et a une décroissance continue quand la température croît. Avec l'intensité, la photoconductivité suit une loi en puissance dont l'exposant (γ) varie de 0,86 à 0,62 quand la température passe de 310 K à 380 K. La photoconductivité transitoire et les courants stimulés thermiquement (CST) ont aussi été mesurés sur le même échantillon. Une décroissance non exponentielle de la photoconductivité est observée ; elle est très lente à température ambiante dans ce matériau. Un pic du CST est observé à 365 K. Les mesures indiquent la présence d'une distribution continue d'états localisés dans les films minces de Ge22Se68Bi10.

PACS
7155J - Localization in disordered structures.
7240 - Photoconduction and photovoltaic effects: photodielectric effects.
7280N - Electrical conductivity of amorphous and glassy semiconductors.
7360F - Electronic properties of semiconductor thin films.
2520M - Other semiconductor materials.
4210 - Photoconducting materials and properties.

Key words
amorphous semiconductors -- electron energy states of amorphous solids -- germanium compounds -- localised electron states -- photoconductivity -- semiconductor thin films -- vacuum deposited coatings -- semiconductor -- amorphous thin films -- Ge sub 22 Se sub 68 Bi sub 10 -- intensity dependence -- steady state photoconductivity -- vacuum evaporation -- temperature -- localized states -- 310 to 410 K -- GeSeBi