Rev. Phys. Appl. (Paris) 22, 207-219 (1987)
DOI: 10.1051/rphysap:01987002204020700

Dislocation cores in semiconductors. From the « shuffle or glide » dispute to the « glide and shuffle » partnership

F. Louchet¹ et J. Thibault-Desseaux<sup>2

1</sup>  LTPCM. ENSEEG, BP 75, 38402 St Martin d'Hères Cedex, France
²  DRF/SPh/S, CEN-G, 85 X, 38041 Grenoble Cedex, France

Abstract
Possible geometrical structures for dislocation cores in elementary and compound semiconductors are shown and discussed in the light of a review of recent work in HREM and core energy calculations. It appears that partial dislocations have complex cores, with an average glide character, but containing a number of shuffle sites, the nature of which depends on the character of the dislocations. These core structures are shown to account qualitatively for a number of experimental results on dislocations mobility and electrical properties.

Résumé
Les structures géométriques possibles du coeur des dislocations dans les semi-conducteurs élémentaires et composés sont envisagées et discutées à la lumière des résultats de travaux en MEHR et de calculs d'énergie de coeur. Il apparaît que le coeur des partielles a une structure complexe avec un caractère moyen « glide » mais contient un certain nombre de sites « shuffle » dont la nature dépend du caractère de la dislocation. On montre que les structures de coeur peuvent rendre compte qualitativement d'un certain nombre de résultats expérimentaux sur la mobilité des dislocations et les propriétés électriques.

PACS
6170G - Dislocations: theory.
6170L - Slip, creep, internal friction and other indirect evidence of dislocations.

Key words
dislocations -- slip -- semiconductors -- geometrical structures -- dislocation cores -- HREM -- core energy calculations -- partial dislocations -- complex cores -- average glide character -- shuffle sites -- dislocations mobility -- electrical properties