Rev. Phys. Appl. (Paris) 22, 845-850 (1987)
DOI: 10.1051/rphysap:01987002208084500

α Rh2As : un candidat possible pour la réalisation de structures épitaxiées (composé métallique)/GaAs

M. Secoue, B. Guenais et A. Guivarc'h

CNET LAB/ICM/MPA, route de Trégastel, 22300 Lannion Cedex, France

Abstract
In a MBE 2300 Riber set up, we carried out Rh and As codepositions onto oxidized silicon and (100) GaAs substrates at temperatures ranging from 0 °C to 330°C. We show that it is possible to obtain polycrystalline thin films of α Rh2As, a metallic compound which exhibits the same crystalline structure like GaAs. These layers, which have no preferential orientation on an amorphous substrate, are highly textured on a GaAs substrate ( [100 ] Rh2As//[100] GaAs) and exhibit a low resistivity (~ 25 μΩcm), which is consistent with microelectronic device applications. For GaAs substrates, at temperatures higher than 200 °C the rhodium directly interacts with the substrate and leads to the formation of the RhAs compound.

Résumé
Dans un bâti d'épitaxie par jets moléculaires Riber 2300, nous avons réalisé des codépôts de Rh et d'As sur des substrats de silicium passivé et de GaAs (100) maintenus à des températures variant de 0°C à 330°C. Nous montrons qu'il est possible de réaliser des couches minces polycristallines de α Rh2As, composé métallique de structure cristalline très proche de celle de GaAs. Ces couches qui ne présentent pas d'orientation préférentielle sur un substrat amorphe, sont fortement texturées sur GaAs ( [100 ] Rh 2As// [100] GaAs). Leur faible résistivité (~ 25 μΩcm) est compatible avec une utilisation en micro-électronique. Lorsque les substrats de GaAs sont maintenus à une température supérieure à 200 °C lors du codépôt, l'interaction directe du Rh avec le substrat conduit à la formation du composé RhAs.

PACS
6855 - Thin film growth, structure, and epitaxy.
7340N - Electrical properties of metal nonmetal contacts.

Key words
gallium arsenide -- III V semiconductors -- metallic epitaxial layers -- rhodium compounds -- semiconductor metal boundaries -- semiconductor metal interfaces -- alpha Rh sub 2 As -- epitaxial structures -- MBE -- polycrystalline thin films -- resistivity -- 0 to 330 degC -- GaAs substrates -- Rh sub 2 As GaAs