Rev. Phys. Appl. (Paris) 22, 913-917 (1987)
DOI: 10.1051/rphysap:01987002208091300

BILAS : intégration monolithique d'un phototransistor et d'une diode laser sur GaAs en vue de la réalisation de fonctions optiques

A. Cazarre, A. Marty, J.P. Bailbe, A. Bensoussan, F. Lozes-Dupuy et S. Nacer

Laboratoire d'Automatique et d'Analyse des Systèmes, 7, avenue du Colonel-Roche, 31077 Toulouse Cedex, France

Abstract
A GaAlAs VSIS laser diode has been monolithically integrated with a heterojunction Bipolar phototransistor on a P GaAs substrate by E.P.L. A switching function produced by the optical coupling between the two devices is obtained and studied.

Résumé
L'intégration monolithique et verticale par E.P.L. d'un circuit optoélectronique associant une diode laser GaAlAs type VSIS et un phototransistor à hétérojonction GaAlAs/GaAs par E.P.L. est réalisée. Un couplage optique entre les deux composants, débouchant sur une fonction de « monostable optique » est mis en évidence et analysé.

PACS
4250 - Photoelectric devices.
4270 - Integrated optoelectronics.
4320J - Semiconductor lasers.

Key words
gallium arsenide -- III V semiconductors -- integrated optoelectronics -- optical information processing -- phototransistors -- semiconductor junction lasers -- switches -- semiconductor -- BILAS -- monolithic integration -- phototransistor -- optical functions -- VSIS laser diode -- heterojunction bipolar phototransistor -- LPE -- switching function -- optical coupling -- GaAs -- GaAlAs