Rev. Phys. Appl. (Paris) 23, 281-288 (1988)
DOI: 10.1051/rphysap:01988002303028100

EBIC investigations of thick SOI layers

M. Kittler¹, B. Tillack¹, W. Hoppe¹, W. Seifert¹, R. Banisch¹, H.H. Richter¹ et A. Rocher<sup>2

1</sup>  Institut für Halbleiterphysik der AdW, W.-Korsing-Str. 2, DDR-1200 Frankfurt (Oder), G.D.R.
²  Laboratoire d'Optique Électronique du CNRS, 29, Rue J. Marvig, F-31055 Toulouse, France

Abstract
Thick SOI layers obtained by zone melting with and without seeds, respectively, have been investigated by EBIC with respect to their electrical properties (electrical homogeneity, electrically active defects, minority-carrier diffusion length). A variety of inhomogeneities being partly of complex origin has been observed. Their formation is affected by existence of seeds. Besides usual dark contrasts due to defects acting as recombination site there is evidence that some contrast phenomena are caused by dopant inhomogeneities.

Résumé
Le comportement électrique de couches épaisses de silicium déposées sur isolant (SOI) est étudié par SEM/EBIC. Ces couches, de plusieurs microns d'épaisseur, sont recristallisées par déplacement d'une zone fondue faisant intervenir ou non un germe. Des contrastes EBIC particuliers sont interprétés comme des hétérogénéités de dopant dont l'origine est reliée aux modes de croissance réalisés à partir de germe orienté.

PACS
7220J - Charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping semiconductors/insulators.
7280C - Electrical conductivity of elemental semiconductors.
7340Q - Electrical properties of metal insulator semiconductor structures.
7360F - Electronic properties of semiconductor thin films.

Key words
carrier lifetime -- EBIC -- electrical conductivity of crystalline semiconductors and insulators -- minority carriers -- semiconductor thin films -- semiconductor insulator boundaries -- silicon -- semiconductor -- thick SOI layers -- zone melting -- electrical homogeneity -- electrically active defects -- minority carrier diffusion length -- dark contrasts -- defects -- recombination site -- dopant inhomogeneities -- Si layers on insulators