| Numéro |
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 23, Numéro 5, mai 1988
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | 803 - 807 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/rphysap:01988002305080300 | |
Rev. Phys. Appl. (Paris) 23, 803-807 (1988)
DOI: 10.1051/rphysap:01988002305080300
1 Département de Physique des Solides, Institut Supérieur d'Electronique du Nord, 41, boulevard Vauban, 59046 Lille Cedex, France
2 Groupe de Physique des Solides de l'Ecole Normale Supérieure, Université Paris V, Tour 23, 2 place Jussieu, 75251 Paris Cedex 05, France
6170B - Interstitials and vacancies.
6170E - Other point defects.
7155F - Impurity and defect levels in tetrahedrally bonded nonmetals.
7630M - EPR of colour centres and other defects.
Key words
deep levels -- electron traps -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- interstitials -- paramagnetic resonance of defects -- point defects -- semiconductor -- EPR -- atomic configuration -- EL2 defect -- stable state -- antisite defect -- interstitial -- pair defect -- GaAs
DOI: 10.1051/rphysap:01988002305080300
On the atomic configuration of EL2
D. Stievenard1 et H.J. von Bardeleben21 Département de Physique des Solides, Institut Supérieur d'Electronique du Nord, 41, boulevard Vauban, 59046 Lille Cedex, France
2 Groupe de Physique des Solides de l'Ecole Normale Supérieure, Université Paris V, Tour 23, 2 place Jussieu, 75251 Paris Cedex 05, France
Abstract
The atomic configuration of the EL2 defect in its stable state has been determined as an arsenic antisite defect associated with an arsenic interstitial at a next nearest neighbour site. The metastable EL2 state is tentatively assigned to an arsenic pair defect at a gallium lattice site (As-As ) Ga.
Résumé
La configuration atomique du défaut EL2 dans son état stable est attribuée à un complexe composé d'un antisite d'arsenique et d'un interstitiel d'arsenique en position de deuxième voisin. Les propriétés de l'état métastable peuvent être décrites dans un modèle d'une paire d'arsenique (As-As )Ga à un site gallium.
6170B - Interstitials and vacancies.
6170E - Other point defects.
7155F - Impurity and defect levels in tetrahedrally bonded nonmetals.
7630M - EPR of colour centres and other defects.
Key words
deep levels -- electron traps -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- interstitials -- paramagnetic resonance of defects -- point defects -- semiconductor -- EPR -- atomic configuration -- EL2 defect -- stable state -- antisite defect -- interstitial -- pair defect -- GaAs