Rev. Phys. Appl. (Paris) 24, 37-43 (1989)
DOI: 10.1051/rphysap:0198900240103700

Non-linéarités d'absorption intrabande dans les puits quantiques GaAs-AlxGa1-xAs

F.H. Julien¹, J.-M. Lourtioz¹, N. Herschkorn², D. Delacourt², J.P. Pocholle², M. Papuchon², R. Planel³ et G. Le Roux<sup>3

1</sup>  Institut d'Electronique Fondamentale, U.A. 22 du CNRS, Université Paris XI, 91405 Orsay, France
²  Laboratoire Central de Recherches, Thomson-CSF, 91401 Orsay, France
³  Groupement Scientifique CNET-CNRS, U.P. 20 du CNRS, 196 Avenue H. Ravera, 92220 Bagneux, France

Abstract
Optical transitions between confined energy levels of the conduction band of quantum well structures are of great interest for the development of fast infrared detectors and new optoelectronic devices. The non-linearity due to the intersubband absorption saturation is investigated. The intersubband relaxation processes are identified.

Résumé
Les transitions optiques entre niveaux de la bande de conduction des puits quantiques font l'objet d'études approfondies pour le développement de photodétecteurs infrarouges rapides et de nouveaux dispositifs opto-électroniques. La non-linéarité liée à la saturation de la transition d'absorption intrabande est démontrée. L'étude nous permet d'identifier les mécanismes de relaxation intrabande.

PACS
4265G - Optical transient phenomena, self induced transparency, optical saturation and related effects.
7865J - Optical properties of nonmetallic thin films.

Key words
aluminium compounds -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- infrared spectra of inorganic solids -- optical saturable absorption -- semiconductor quantum wells -- nonlinearity -- semiconductor -- optical transitions -- infrared absorption -- conduction band -- quantum well -- intersubband adsorption saturation -- intersubband relaxation -- GaAs Al sub x Ga sub 1 x As