Numéro |
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 24, Numéro 2, février 1989
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Page(s) | 195 - 205 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/rphysap:01989002402019500 |
DOI: 10.1051/rphysap:01989002402019500
Evolution des principes de la commutation assistée dans les onduleurs de tension. Présentation d'un onduleur haute fréquence à « commutations douces »
F. Forest et P. LienartLaboratoire d'électrotechnique, signaux et robotique, E.N.S. de Cachan, 61, avenue du président Wilson, 94230 Cachan, France
Abstract
This paper deals with a study about an inverter whose structure use the « resonant switch » concept. After having reminded the different switching modes commonly used among the voltage inverters, we suggest a converter whose performances provide a high frequency rate pulse width modulation operation. The choice of a particular control mode allows to take advantage of the features. The tests results of a 4 kW inverter using insulated gate bipolar transistors display the real qualities of the structure, particulary about dynamic performances and efficiency.
Résumé
Cet article a pour objet l'étude d'un onduleur dont la structure est basée sur l'utilisation d'interrupteurs dit « résonnants ». Après avoir rappelé les différents modes de commutations utilisés au sein des onduleurs de tension et souligné les similitudes structurelles des différentes solutions, nous proposons un convertisseur dont les performances autorisent un fonctionnement en modulation de largeur d'impulsion à haute fréquence. Le choix d'un mode de commande particulier permet d'en exploiter totalement les caractéristiques. L'expérimentation d'un onduleur de 4 kW, utilisant des transistors à grille isolée (I.G.B.T.) met en évidence les qualités de l'ensemble, tant sur le plan des performances dynamiques que du rendement.
8360 - Power convertors and power supplies to apparatus.
Key words
invertors -- switching -- aided switching principle -- high frequency inverter -- soft switching -- resonant switch -- voltage inverters -- converter -- high frequency rate pulse width modulation -- control mode -- insulated gate bipolar transistors -- dynamic performances -- efficiency -- 4 kW