Rev. Phys. Appl. (Paris) 24, 351-356 (1989)
DOI: 10.1051/rphysap:01989002403035100

Recuits, dans un réacteur d'épitaxie, de substrats InP sous atmosphère de PH3, AsH3 ou chlorure d'indium, suivis in situ par ellipsométrie

A. Bendraoui, Y. El Younoussi et M. Cadoret

L.P.M.C., U.A. CNRS 0796, Université Blaise Pascal-Clermont , Les Cézeaux, B.P. 45, 63170 Aubière, France

Abstract
The aim of this study is to improve the quality of substrate surfaces used for epitaxy of heterostructures by H.V.P.E. in protecting them during transient periods between two deposits of different composition. InP substrate surfaces are controlled by ellipsometry in situ under PH3, AsH 3 or InCl atmosphere at various temperatures. This work will be useful to determine available conditions of deposit by monolayers.

Résumé
Afin d'améliorer les transitoires dans la fabrication des hétérostructures par épitaxie en phase vapeur et d'étudier la faisabilité de dépôts couche par couche, l'état de surface de substrats InP a été contrôlé par suivi ellipsométrique in situ sous atmosphère de PH3, d'AsH3 et d'InCl à diverses températures.

PACS
8160C - Surface treatment and degradation in semiconductor technology.
8115 - Methods of thin film deposition.

Key words
ellipsometry -- III V semiconductors -- indium compounds -- surface treatment -- vapour phase epitaxial growth -- semiconductor -- heterostructures -- HVPE -- InP