Numéro |
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 24, Numéro 4, avril 1989
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Page(s) | 439 - 446 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/rphysap:01989002404043900 |
DOI: 10.1051/rphysap:01989002404043900
Caractérisation électronique d'interfaces profondes Al-InP
C. Barret1, F. Vergand2, H. Maaref1, 2, C. Sénémaud2 et C. Bonnelle21 Institut d'Electronique Fondamentale, UA22-CNRS, Université Paris Sud, Bâtiment 220, 91405 Orsay Cedex, France
2 Laboratoire de Chimie Physique UA176-CNRS, Université Pierre et Marie Curie, 11 rue Pierre et Marie Curie, 75231 Paris Cedex 05, France
Abstract
Al-InP (110) and (100) interfaces, obtained by means of various methods have been characterized by I-V, C-V, SCS, EXES. The measurements confirm the existence, for the n-InP material, of a significant barrier height (> 0.35 eV ) which is sensitive to the method of preparation. They show the presence of discrete interface states for cleaved samples and of states lying in a continuum for chemically etched samples. Very clear modifications, compared to the bulk, of the p density of states of phosphorus are observed at the various interfaces. They imply that the perturbed interfacial region is several tens of Å thick.
Résumé
Des interfaces Al-InP (110) et (100) préparées par différentes méthodes ont été caractérisées par I-V, C-V, SCS, EXES. Ces mesures confirment l'existence sur InP n d'une hauteur de barrière significative (> 0,35 eV) et sensible à la méthode de préparation. Elles mettent en évidence la présence d'états d'interface discrets pour les échantillons clivés, ou répartis dans un continuum pour ceux ayant subi un nettoyage chimique. Des modifications très nettes de la densité des états p du phosphore sont observées aux différentes interfaces par rapport à InP en volume. Ceci implique la présence d'une zone interfaciale perturbée sur plusieurs dizaines d'angströms.
7340N - Electrical properties of metal nonmetal contacts.
7330 - Surface double layers, Schottky barriers, and work functions.
2530D - Semiconductor metal interfaces.
Key words
aluminium -- III V semiconductors -- indium compounds -- interface electron states -- Schottky effect -- semiconductor metal boundaries -- X ray photoelectron spectra -- XPS -- Schottky capacitance spectroscopy -- current voltage characteristics -- chemical etching -- semiconductor metal interface -- barrier height -- preparation -- interface states -- cleaved samples -- density of states -- Al InP interfaces